ИОФ РАН
Федеральный исследовательский центр «Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук» и Институт физики высоких давлений им.Л.Ф. Верещагина Российской академии наук 26 ноября 2020 г. проводят вторую однодневную конференцию
«Квантовые материалы и технологии на нанометровой шкале».
Дата: 26 ноября 2020 г.
Место проведения: Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Программа 
(Новая редакция программы от 24.11.2020)
(Новая редакция программы от 24.11.2020)Тематика конференции
• Перспективные наноматериалы и наноструктуры, полученные при высоких давлениях.
• Свойства сильно коррелированных электронных систем на наномасштабах.
• Новые квантовые технологии.
• Полупроводниковые, магнитные, сверхпроводящие наносистемы, в том числе низкоразмерные системы.
Программный комитет
В.В. Бражкин, академик РАН (ИФВД РАН) (сопредседатель)
С.В. Демишев, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН) (сопредседатель)
И.В. Кукушкин, академик РАН (ИФТТ РАН)
В.В. Кведер, академик РАН (ИФТТ РАН)
Н.С. Аверкиев, д.ф.-м.н. (ФТИ РАН)
П.И. Арсеев, чл.-корр. РАН (ФИАН)
В.Н. Рыжов, д.ф.-м.н. (ИФВД РАН)
В.В. Глушков, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН)
В.А. Давыдов, д.х.н. (ИФВД РАН)
Оргкомитет
С.В. Демишев, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН) (председатель)
В.В. Бражкин, академик РАН (ИФВД РАН)
В.В. Глушков, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН)
Е.В. Захарова (ИОФ РАН)
Т.В. Валянская, к.ф.-м.н. (ИФВД РАН)
Л.Б. Солодухина (ИФВД РАН)
На конференции будут заслушаны устные приглашенные доклады (регламент выступления 20-25 мин). Для молодых ученых будет предоставлена возможность принять участие в стендовой сессии, составленной из докладов, отобранных программным комитетом.
Адрес: г. Москва, ул. Вавилова, д. 38, ИОФ РАН.
Для получение пропуска необходима предварительная регистрация (см. ссылку ниже). Пропуск можно получить в день проведения конференции на проходной института в бюро пропусков (справа от входа). Пропуск выдается по паспорту! (в форме регистрации номер паспорта указывать не нужно).
Контакты:
demis@lt.gpi.ru (Сергей Васильевич Демишев)
elena.zakharova.office@gmail.com (Елена Владимировна Захарова)
Для участия в конференции и оформления пропуска для прохода на территорию института необходимо зарегистрироваться:
Необходимо заполнить поля формы (поля, отмеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения). В соответствующем поле необходимо выбрать формат участия в конференции: приглашенный доклад, стендовый доклад, участник (если планируется участие без доклада).
При наличии доклада необходимо загрузить тезисы доклада (в указанном формате) в соответствующем поле.
После регистрации на указанный Вами электронный адрес поступит подтверждение регистрации. В случае возникновения проблем с регистрацией, просьба написать организаторам по адресу: elena.zakharova.office@gmail.com (Елена Владимировна Захарова). В теме письма указать название конференции.
Учитывая сжатые сроки подготовки программы конференции и сборника тезисов, программный комитет просит участников конференции зарегистрироваться и представить тезисы докладов не позднее 30 октября 2020 г.
10.00 – 10.10. В.В. Бражкин (ИФВД РАН), С.В. Демишев (ИОФ РАН). Открытие конференции.
Квантовые материалы на нанометровой шкале.
Председатель П.И. Арсеев.
10.10 – 10.35. В.А. Давыдов (ИФВД РАН, Москва, Троицк). Низконапряженные наноалмазы с примесно-вакансионными оптическими центрами: синтез, исследование свойств.
10.35 – 11.00. Е.А. Екимов (ИФВД РАН, Москва, Троицк). Размерно-конторолируемый синтез наноалмазов в гетероуглеводородных системах под давлением.
11.00 – 11.25. Б.В. Андрюшечкин (ИОФ РАН, Москва). Наноструктурирование поверхности металлов при воздействии галогенов: исследования на атомном уровне.
11.25 – 11.50. Е.А. Константинова1,2,3, Е.В. Кытина1, А.В. Марикуца1, В.А. Кульбачинский1 (1МГУ, Москва, 2НИЦ «Курчатовский институт», Москва, 3МФТИ, Долгопрудный). Динамика носителей заряда в наноструктурах на основе оксидов титана, молибдена, вольфрама и ванадия.
Перерыв 20 мин.
Сильно коррелированные электронные системы
Председатель А.С. Мельников.
12.10 – 12.35. С.В. Стрельцов1, Е.В. Комлева1, А.В. Ушаков1, Д.И. Хомский2 (1ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, 2Кельнский университет). Влияние спин-орбитального взаимодействия на физические свойства 4d/5d соединений переходных металлов.
12.35 – 13.00. Н.А. Богословский, П.В. Петров, Н.С. Аверкиев (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Фаза спиново-зарядового стекла в магнитных и немагнитных полупроводниках. Магнитный фазовый переход переход под влиянием электростатических флуктуаций.
13.00 – 13.25. А.В. Цвященко1, Д.А. Саламатин1, А.В. Сидоров1, А. Величков2, А.В. Саламатин2, А.В. Николаев3, М.Г. Козин3, M. Budzinski4 (1ИФВД РАН, Москва, Троицк, 2ОИЯИ, Дубна, 3НИИЯФ, МГУ, Москва, 4Institute of Physics, Lublin, Poland). Изучение локальных сверхтонких взаимодействий в сильно коррелированных электронных системах методом возмущенных угловых γ—γ корреляций.
13.25 – 13.50. С.В. Демишев (ИОФ РАН, Москва). Спин-флуктуационные переходы.
Перерыв 30 мин. Стенды.
Системы с нетривиальной топологией. Страйповые фазы.
Председатель В.В. Бражкин.
14.20 – 14.45. Н.Е. Случанко (ИОФ РАН, Москва). Динамические зарядовые страйпы в редкоземельных гекса- и додекаборидах.
14.45 – 15.10. А.С. Мельников (ИФМ РАН, Нижний Новгород). Топологическая сверхпроводимость.
15.10 – 15.35. Э.В. Девятов (ИФТТ РАН, Черноголовка). Перенос джозефсоновского тока поверхностными состояниями топологических вейлевских полуметаллов.
Перерыв 15 мин.
On-line сессия
Председатель В.В. Глушков.
15.50 – 16.15. И.В. Крайнов, К.А. Барышников (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Косвенное обменное взаимодействие в одномерных кристаллах с беспорядком.
16.15 – 16.40. К.А. Барышников, К.С. Денисов (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Магнитосопротивление трехмерных материалов с протяженными дефектами: влияние геометрии магнитного поля и эффектов памяти.
16.40 – 17.05. К.С. Денисов1, И.В. Рожанский1, Н.С. Аверкиев1 (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Особенности электронного транспорта в магнитных наногетероструктурах с магнитными скирмионами.
17.05 – 18.30 Стендовая сессия
Председатель С.В. Демишев.
- К.М. Красиков1, В.В. Глушков1, С.В. Демишев1, А.В. Богач1, Н.Ю. Шицевалова2, В.Б. Филипов2, С.Ю. Гаврилкин3, Н.Е. Случанко1 (1ИОФ РАН, Москва, 2ИПМ НАНУ, Киев, Украина, 3ФИАН, Москва). Понижение симметрии и магнитные фазовые диаграммы в ErB12.
- В.С. Журкин1, М.А. Анисимов1, А.В. Богач1, А.Д. Божко1, Н.Ю. Шицевалова2, Н.Е. Случанко1, С.В. Демишев1, В.В. Глушков1 (1ИОФ РАН, Москва, 2ИПМ НАНУ, Киев, Украина). Обменное расщепление зоны проводимости в EuB6.
- А.Е. Каракозов, М.В. Магницкая (ИФВД РАН, Москва, Троицк). О структуре сверхпроводящего состояния ферропикнитидов.
- Н.М. Щелкачев, М.В. Магницкая, Д.А. Саламатин, А.В. Цвященко (ИФВД РАН, Москва, Троицк). Первопринципные расчеты нецентросимметричных соединений Yb(Co,Ni)C2 методом DMFT.
- А.Ю. Тихановский, А.А. Мухин, В.Ю. Иванов, А.М. Кузьменко (ИОФ РАН, Москва). Магнитные и магнитоэлектрические свойства Fe-лангаситов.
- А.К. Мартьянов1, А.А. Хомич1,2, В.С. Седов1, Кудрявцев О.С.1, В.Г. Ральченко1 (1ИОФ РАН, Москва, 2 ИРЭ РАН, Фрязино). Спектроскопия комбинационного рассеяния света для исследования структуры композитных пленок SiC-алмаз, синтезируемых в СВЧ плазме.
- Е.В. Кытина, Е.Р. Пархоменко, Е.А. Назарова (МГУ, Москва). Определение положения уровней энергии радикалов в запрещенной зоне нанокристаллических оксидов титана, молибдена, ванадия, вольфрама с помощью ЭПР спектроскопии.