12.10.2022 (15:00) СЕМИНАР №176 НАУЧНОГО ЦЕНТРА ЛАЗЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ И ТЕХНОЛОГИЙ имени В.В. Осико ИОФ РАН

(по материалам докторской диссертации,
специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния)

Научный консультант: академик РАН, д.ф.-м.н. Конов Виталий Иванович

Работа посвящена синтезу в СВЧ-плазме поликристаллических и монокристаллических алмазных материалов, обладающих интенсивной узкополосной люминесценцией вследствие легирования алмаза кремнием (центры «кремний-вакансия»,
Si-V, λ_изл = 738 нм) и/или германием (центры «германий-вакансия», Ge-V, λ_изл = 602 нм), а также за счёт внедрения в алмаз люминесцентных наночастиц, содержащих редкоземельные элементы (EuF₃, ????-NaGdF₄:Eu и YAG:Ce). Разработаны методы и подходы по усилению люминесценции в синтезируемых материалах с сохранением высокого структурного совершенства алмазной фазы. В частности, в ходе данной работы:

• был определён коэффициент распределения примеси кремния в монокристаллическом алмазе при синтезе из газовой фазы K_???? = (1,1±0,5)×10⁻³;

  обнаружен изотопический сдвиг по углероду (¹²С/¹³С) линии ФЛ центров Si-V, равный ΔE=1,78 мэВ (0,8 нм);

  обнаружен новый центр окраски, связанный с примесью кремния (λ_изл = 720–722 нм);

• получены пионерские результаты по легированию алмаза атомами германия с образованием центров окраски Ge-V;

  впервые в СВЧ-плазме осуществлено соосаждение алмаза и германия с формированием единого поликристаллического композитного материала.

• разработан новый гибкий подход для получения композитов с механически прочной и химически инертной алмазной матрицей, обладающих люминесцентными характеристиками внедрённых частиц.

  изготовлены и охарактеризованы композитные материалы с наночастицами EuF₃ и NaGdF₄:Eu.

  получены рентгенолюминесцентные алмазные композитные плёнки с внедренными наночастицами на основе иттрий-алюминиевых гранатов, легированных церием, (YAG:Ce) с коротким (<50 нс) временем затухания люминесценции.

Среда 12 октября 2022. начало 15:00
НЦЛМТ ИОФ РАН (корп. 4), к. 707.

По вопросам пропусков обращаться по тел. +7(499) 503-87-77-595
E-mail: shukshinve@lst.gpi.ru (Шукшин Владислав)